Studium elektrických polí v karbidu křemíku

Abstract

Silicon carbide (SiC) is due to its unique electrical and mechanical properties very important material for photonics and electronics. Hexagonal polytypes of SiC are being used as substrates for the growth of epitaxial graphene. SiC shows Pockels linear electro- optic effect. The goal of this thesis was to use Pockels effect and evolve the method to study profiles of inner eletric fields and accumulations of electric charges inside SiC, whose variations may influence functions of optoelectronic components. Our method con- sists in complex evaluation of optical transmittances of crystals inserted between crossed polarizers. It has been shown that the excitation light with photon energy near the ban- dgap of SiC significantly influences profiles of inner electric field due to accumulation of photogenerated charge on traps. The conclusion of the thesis concentrates mainly on the discussion of causes affecting the accuracy of this new method. 1

Karbid křemíku (SiC) je díky svým unikátním elektrickým a mechanickým vlastnos- tem velmi důležitým materiálem pro fotoniku a elektroniku. Hexagonální polytypy SiC se používají jako substráty pro růst epitaxního grafénu. SiC vykazuje Pockelsův lineární elektrooptický jev. Cílem této práce bylo využít Pockelsova jevu a vyvinout tak me- todu pro studium profilů vnitřních elektrických polí a akumulace elektrických nábojů v SiC, jejichž variace může ovlivnit činnost optoelektronických součástek. Metoda spočívá v komplexním vyhodnocení optických propustností krystalů vložených mezi zkřížené po- larizátory. Ukázalo se, že excitační světlo s energií fotonů poblíž zakázaného pásu SiC významně ovlivňuje profily vnitřního elektrického pole díky akumulaci fotogenerovaného náboje na pastech. V závěru práce je kladen důraz na diskuzi příčin ovlivňujících přesnost této nové metody. 1