Studium elektrických polí v karbidu křemíku
Study of electric fields in silicone carbide
bakalářská práce (OBHÁJENO)
![Náhled dokumentu](/bitstream/handle/20.500.11956/182525/thumbnail.png?sequence=7&isAllowed=y)
Zobrazit/ otevřít
Trvalý odkaz
http://hdl.handle.net/20.500.11956/182525Identifikátory
SIS: 250919
Kolekce
- Kvalifikační práce [10925]
Autor
Vedoucí práce
Oponent práce
Trojánek, František
Fakulta / součást
Matematicko-fyzikální fakulta
Obor
Fyzika
Katedra / ústav / klinika
Fyzikální ústav UK
Datum obhajoby
21. 6. 2023
Nakladatel
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaJazyk
Čeština
Známka
Výborně
Klíčová slova (česky)
karbid křemíku|elektrické pole|Pockelsův jev|dvojlom|grafénKlíčová slova (anglicky)
silicone carbide|electric field|Pockels effect|birefringence|grapheneKarbid křemíku (SiC) je díky svým unikátním elektrickým a mechanickým vlastnos- tem velmi důležitým materiálem pro fotoniku a elektroniku. Hexagonální polytypy SiC se používají jako substráty pro růst epitaxního grafénu. SiC vykazuje Pockelsův lineární elektrooptický jev. Cílem této práce bylo využít Pockelsova jevu a vyvinout tak me- todu pro studium profilů vnitřních elektrických polí a akumulace elektrických nábojů v SiC, jejichž variace může ovlivnit činnost optoelektronických součástek. Metoda spočívá v komplexním vyhodnocení optických propustností krystalů vložených mezi zkřížené po- larizátory. Ukázalo se, že excitační světlo s energií fotonů poblíž zakázaného pásu SiC významně ovlivňuje profily vnitřního elektrického pole díky akumulaci fotogenerovaného náboje na pastech. V závěru práce je kladen důraz na diskuzi příčin ovlivňujících přesnost této nové metody. 1
Silicon carbide (SiC) is due to its unique electrical and mechanical properties very important material for photonics and electronics. Hexagonal polytypes of SiC are being used as substrates for the growth of epitaxial graphene. SiC shows Pockels linear electro- optic effect. The goal of this thesis was to use Pockels effect and evolve the method to study profiles of inner eletric fields and accumulations of electric charges inside SiC, whose variations may influence functions of optoelectronic components. Our method con- sists in complex evaluation of optical transmittances of crystals inserted between crossed polarizers. It has been shown that the excitation light with photon energy near the ban- dgap of SiC significantly influences profiles of inner electric field due to accumulation of photogenerated charge on traps. The conclusion of the thesis concentrates mainly on the discussion of causes affecting the accuracy of this new method. 1