Epitaxial Graphene on Silicon Carbide

Kunc, Jan

dc.creator	Kunc, Jan
dc.date.accessioned	2023-03-15T13:40:10Z
dc.date.available	2023-03-15T13:40:10Z
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/20.500.11956/179873
dc.language	English	cs
dc.title	Epitaxial Graphene on Silicon Carbide	cs
dc.type	habilitační práce	cs_CZ
dcterms.dateAccepted	2023-01-01
dc.contributor.referee	Tzalenchuk, Alexander
dc.contributor.referee	Seyller, Thomas
dc.contributor.referee	Weber, Heiko
thesis.degree.discipline	Fyzika - kvantová optika a optoelektronika	cs
uk.faculty-name.cs	Matematicko-fyzikální fakulta	cs
uk.author.affiliation	Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta	cs
uk.habilitation-board.chairman	Šikola, Tomáš
uk.habilitation-board.member	Kalbáč, Martin
uk.habilitation-board.member	Malý, Petr
uk.habilitation-board.member	Čtyroký, Jiří
uk.habilitation-board.member	Tegenkamp, Christoph
uk.file-availability	HAB
uk.embargo.reason	V některých případech není možné zpřístupnit plný text práce z licenčních důvodů (např. publikované monografie, soubor článků). Vždy je k dispozici abstrakt a záznam z obhajoby, případně další informace.	cs
uk.embargo.reason	In some cases, the full text cannot be made available due to licensing reasons (e.g., published monographs, collections of articles). An abstract and a defense record are always available, along with any additional information.	en